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FAANG、半導體及科技產業新聞

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市場情緒分析

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6.3/10

半導體市場大洗牌!1b DRAM每平方毫米成本竟比台積電N2晶圓貴54%

這充分彰顯了當前AI建設時代的瘋狂程度:儘管1b DRAM的製造難度遠低於台積電的先進製程晶圓,但其每平方毫米的成本如今竟然高於同等面積的台積電N2晶圓,半導體...

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Key Takeaways

  • 1b DRAM晶圓每平方毫米成本達0.654美元,比台積電同等尺寸N2晶圓的0.424美元高出約54%,但DRAM的製程難度實際上遠低於先進邏輯製程。
  • DRAM價格飆漲主因為AI建置潮帶動的記憶體嚴重短缺,三星B1b製程將採用晶圓對晶圓混合鍵合技術,預期次世代DRAM售價將進一步攀升。
  • 宏碁董事長陳俊聖認為記憶體短缺難以延續至2030年,但價格在2027年中前仍將持續上漲,凸顯當前供需失衡的嚴峻程度。

AI需求狂潮推升記憶體身價 每平方毫米DRAM價值超越台積電先進製程

記憶體晶片如今在單位面積價值上,已正式超越運算晶片。受到AI產業龐大需求帶動,DRAM價格衝上歷史天價,且短期內毫無降溫跡象。Kurnal Insights分析...

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Key Takeaways

  • 受AI需求強勁推動,記憶體價格衝上歷史新高,Kurnal Insights分析師指出,DRAM晶圓的每平方毫米價值已超越台積電N2與N3製程的邏輯晶片
  • 以每平方毫米計價,1b世代DRAM價值約達0.654美元,高於N2晶圓推算的0.424美元;而DDR5現貨價格持續走高,1b DRAM實際價值更可能達0.676美元
  • 不過兩者本質不同——台積電數字代表晶圓代工服務收費,DRAM數字則代表記憶體銷售價值,且未計入封裝成本、長約與現貨價差,實際獲利能力難以直接論斷

長鑫存儲市值超越工商銀行 中國半導體產業從國家補貼失敗走向市場化突圍

7月27日,中國最大的動態隨機存取記憶體(DRAM)製造商長鑫存儲(CXMT)正式於上海證券交易所科技股重鎮「科創板」掛牌上市。這場備受矚目的首次公開發行(IP...

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Key Takeaways

  • 長鑫存儲(CXMT)7月27日於上海科創板掛牌上市,盤中股價較發行價暴漲476%,市值飆升至3.14兆元人民幣,超越工商銀行成為中國市值最高企業,凸顯中國半導體產業對全球記憶體市場的威脅。
  • 中國政府調整半導體產業政策,從過去透過「大基金」砸錢培育世界級晶片廠的失敗模式,轉向以市場化為核心、結合地方政府長期投資的「合肥模式」,並鎖定遭美國出口管制切斷的設備、先進材料及HBM等領域。
  • 中國DRAM自製率快速攀升,國內半導體設備自給率從不到10%提升至逾30%,但在HBM技術上仍落後韓國三星與SK海力士約四年,南韓記憶體產業唯有加速技術與生態圈擴張才能保持領先。

南韓擴大間諜法正式上路 劍指晶片技術外流防堵中企

南韓擴大版間諜法於週日正式生效,將間諜罪行的適用範圍從原本僅限於北韓的行為,擴大至涵蓋所有外國,以因應半導體及其他戰略產業競爭日趨激烈的態勢,首爾當局希望藉此保...

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Key Takeaways

  • 南韓修訂《刑法》中的間諜相關條款於9月13日正式生效,將間諜罪適用範圍從北韓擴大至所有外國,刑期最低三年
  • 新法旨在保護半導體、顯示器、電池及AI等戰略技術,國家情報院認為有助於強化對產業間諜行為的嚇阻力
  • 近年三星電子五名前員工涉嫌將DRAM技術轉移給中國長鑫存儲(CXMT)的案件,引發外界對修法的關注

蘋果全面調漲iPhone售價 記憶體晶片荒成最大推手

蘋果於週三發表旗下首款摺疊手機後,隨即調漲目前在印度銷售的所有iPhone機型價格,舊款機型漲價幅度介於1.5萬至6.5萬盧比之間。在美國市場,新款iPhone...

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Key Takeaways

  • 蘋果同步調漲印度與美國所有現行販售iPhone售價,舊款機型漲幅驚人,印度最高漲價達6.5萬盧比(約41%),主因為AI資料中心需求導致的記憶體晶片短缺。
  • 蘋果首款摺疊機iPhone Duo美國售價1,999美元、印度售價29.99萬盧比,創iPhone史上最高價,頂規2TB版本更達3,200美元與44.99萬盧比。
  • 記憶體短缺為全產業現象,微軟Xbox、Valve、TSMC皆受衝擊,Counterpoint數據顯示DRAM均價年增約400%、NAND快閃記憶體漲逾300%,SK海力士示警缺貨恐延續至2030年後。

ASML攜手大客戶推進次世代光罩技術 目標2033年量產升級版High NA EUV設備

荷蘭半導體微影設備龍頭ASML近日宣布,將與其主要客戶攜手合作,共同生產該公司最先進的工具機,目標是打造用於開發輝達(NVIDIA)等業者所設計的大型資料中心晶...

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Key Takeaways

  • ASML宣布將與主要客戶合作,採用更大尺寸的光罩以提升其下一代High NA EUV微影設備的產能,預計2031年展示試產線,2033年進入量產。
  • 目前High NA EUV設備受限於較小的光罩尺寸,無法列印與現行資料中心晶片同等大小的晶片,升級後將突破此限制並提升40%生產力。
  • 台積電計畫2030年將High NA EUV導入先進製程量產,三星與SK海力士則瞄準2028年用於DRAM記憶體量產。

全球半導體周報:鎢價飆漲六倍、SK海力士1c DRAM放量、印度啟動Semicon 2.0

全球半導體產業本週迎來多項重大進展與挑戰,以下為重點新聞彙整。 ### 鎢價因美中禁令飆漲六倍 衝擊晶片、航太與國防供應鏈 受美中兩國出口管制持續收緊影響,...

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Key Takeaways

  • 美中角力升溫推升鎢價六倍,衝擊半導體、航太與國防產業供應鏈;TSMC於OCP APAC會議聚焦CoWoS材料風險並將3DIC開發週期縮短至一年;Google第十代TPU為AMD敞開大門,卻無損Broadcom、聯發合作關係。

現貨飆至合約價四至五倍 記憶體景氣離高峰還早

判斷一場景氣熱潮是否已觸頂,有一個簡單的檢驗方式:觀察買方目前仍願意支付什麼樣的價格。一片36GB的HBM3E高頻寬記憶體(HBM)——也就是餵養人工智慧(AI...

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Key Takeaways

  • HBM3E 36GB晶片現貨價格約2,100美元,是長約價(370至510美元)的四至五倍,顯示買方急需取得現貨
  • 韓國DRAM出口呈現量縮價漲態勢,七月出口量較五月下滑13%,但出口值反增19%,平均單價兩個月內飆漲37%
  • SK海力士第二季營收年增257%至79.3兆韓元,營業利益暴增557%,市場研調機構預期第三季DRAM合約價將再漲13%至18%

聯準會九月決策對美光的衝擊恐超乎其自身財報表現

美光科技(NASDAQ: MU)將於9月30日公布2026財年第四季財報。雖然該份報告可能顯著牽動美光股價,但聯邦準備理事會(聯準會)預定於9月16日做出的利率...

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Key Takeaways

  • 華爾街目前預期聯準會九月升息機率已從一週前的41.4%跳升至逾60%,主因聯準會主席沃許在傑克森霍爾年會釋出鷹派訊號,美光股價恐承壓
  • 美光2026財年第三季營收年增346%至415億美元,第四季財測營收490億至510億美元,但投資人更關注記憶體榮景能持續多久
  • 美光透過新策略客戶協議鎖定長約與價格區間,帳上現金達301億美元且負債僅57億美元,財務體質強勁,升息對其自身借貸成本影響有限,但市場估值倍數壓縮風險升高

美光台灣員工醞釀罷工 逾八成會員支持因分紅上限發起抗爭

在三星記憶體晶片生產設施的員工成功為自己爭取到優渥分紅之後,美光位於台灣的工廠員工似乎也正準備爭取類似待遇。根據路透社報導引述工會成員說法,在美國美光公司台灣工...

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Key Takeaways

  • 美光台灣桃園與台中廠區工會八月調查顯示,超過八成會員支持發動罷工,要求公司調整分紅上限與利潤分享制度
  • 繼三星晶片廠員工成功爭取調高分紅後,美光台灣員工以三星罷工為範本,工會規模涵蓋全台一萬五千名員工中的一萬人
  • 美光回應表示2026年績效獎金將創公司歷史新高,反映AI浪潮帶動記憶體與邏輯晶片製造商獲利飆升,台積電第二季獎金年增50.6%即為明證

中國記憶體廠長鑫存儲LPDDR6晶片將導入小米摺疊機 劍指三星、海力士主導的DRAM市場

中國正試圖重塑全球記憶體晶片供應鏈的遊戲規則,而其最新一項重大布局,即將在小米的新機上正式落地。中國記憶體大廠長鑫存儲(ChangXin Memory Tech...

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Key Takeaways

  • 中國DRAM大廠長鑫存儲(CXMT)已開始量產LPDDR6記憶體,並將率先應用於小米九月將發表的摺疊螢幕手機,象徵中國半導體自主化進程再下一城
  • 長鑫存儲積極擴張產能,但因地被美國國防部列為「中國軍方企業」,並正面臨五角大廈的聯邦法院訴訟,公司否認軍方關聯並尋求除名
  • 蘋果亦正測試長鑫存儲的DRAM晶片於iPhone與MacBook,但因價格談判破局、華為與小米又已簽長約包下多數產能,使蘋果轉單計畫受阻;同時DRAM缺貨已影響台積電A20 Pro晶片封裝作業

AI需求引爆記憶體荒!南韓DRAM每公斤飆破9.2萬美元 等量同值620克純金

人工智慧(AI)熱潮正導致記憶體價格與供應鏈全面失控。根據南韓貿易統計振興院(TRASS)公布的最新數據,2026年8月的前20天內,南韓生產的DRAM出口價格...

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Key Takeaways

  • 南韓DRAM出口價格2026年8月前20天飆升至每公斤9.2183萬美元,較去年同期暴漲401%,較2023年1月ChatGPT問世時更翻漲12.5倍,等量價格幾乎等同620克24K純金
  • AI資料中心與大型語言模型對高頻寬記憶體(HBM)需求激增,市場由SK海力士、三星、美光三大廠主導,形成供應瓶頸,連帶推升整體科技產業成本
  • 蘋果被迫尋求中國長鑫存儲(CXMT)等替代供應商,微星筆電甚至被迫混搭DDR5與DDR4以壓低成本,搭載輝達GPU的伺服器整機成本恐增加15%至17%

美光科技股價跌近6% 华尔街三大券商同框上调目标

5月18日,美光科技(Micron Technology)股價下跌近6%。同一交易日下午,華爾街三大券商同時將其價目上調,對其維持買入評級。此種在股價與研究建議...

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Key Takeaways

  • 美光科技近期股價下跌近6%,同一天三大華爾街券商同時將其價目上調。
  • Citi將價目從425美元提升至840美元,漲幅達97.6%,預期2026至2027年DRAM價格持續上漲。
  • 分析師預期HBM需求與價格將在2027年進一步上升,支撐公司長期營收成長。

AI需求強勁引爆記憶體牛市 美光股價一年飆漲307% 数据中心业务成增长引擎

美光科技(MU)過去一年成為市場最強勢的標的之一,折射出人工智慧(AI)基礎建設投資的激增,以及該公司在記憶體產業的策略性地位。該股年初至今累積漲幅約35%,1...

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Key Takeaways

  • 美光科技股价年初至今累積漲幅約35%,過去一年暴漲超過307%,AI基礎建設投資是主要動能
  • AI工作負載推动高頻寬記憶體需求,美光在DRAM與先進記憶體解決方案技術領先,受惠於此輪投資週期
  • 供應端持續緊縮,需求來自資料中心、工業自動化等多領域擴張,Management預期2026年毛利率將持續擴張