三星將採用台積電3奈米製程 生產輝達新一代HBM記憶體基底晶片

根據《首爾經濟日報》週日報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程技術，為輝達（NVIDIA）生產下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片的基底晶片。這項合作案象徵三星首度在HBM製造階段與這家台灣晶圓代工廠展開合作。

報導指出，輝達已要求三星、SK海力士（SK Hynix）及美光科技（Micron Technology）三大記憶體供應商，統一採用台積電的製程生產NVHBM的基底晶片，並以第六代DRAM技術生產核心晶片（core dies）。消息引述業內人士說法。

NVHBM是輝達於今年8月所發表的技術，將其客製化記憶體控制器整合至基底晶片中，目的是為了讓多家記憶體供應商在實作上能夠標準化。三星在經過內部審查後，已接受輝達的技術要求，但同時也計畫保留其內部生產模式，繼續為其他客戶製造標準型HBM及客製化產品。

此外，三星也正在評估，若未來需求超過台積電的產能時，是否能改由自家的晶圓廠來生產NVHBM基底晶片。一位匿名消息人士向《首爾經濟日報》透露了上述訊息。

這項合作凸顯了輝達在AI晶片市場的主導地位，以及其對供應鏈的高度影響力。透過統一採用台積電的先進製程，輝達希望能確保其新一代HBM晶片在效能與良率上的一致性，同時讓多家記憶體供應商能夠在同一標準下競爭。三星、SK海力士與美光為目前全球HBM市場的三大主要供應商，其中SK海力士在HBM3及HBM3E市場擁有較大的市占率，而三星則積極透過技術升級爭奪輝達的訂單。