ASML攜手大客戶推進次世代光罩技術 目標2033年量產升級版High NA EUV設備

荷蘭半導體微影設備龍頭ASML近日宣布，將與其主要客戶攜手合作，共同生產該公司最先進的工具機，目標是打造用於開發輝達（NVIDIA）等業者所設計的大型資料中心晶片所需的關鍵設備。

ASML所生產的是所謂的「微影設備」（lithography tools），透過將光線穿透含有晶片圖案的「光罩」（mask），將電路圖案曝光印製於矽晶圓上。

該公司廣泛使用的極紫外光（EUV）設備，目前能列印面積約達800平方毫米的晶片，而輝達、Google等公司所設計的晶片尺寸幾乎都已逼近此一上限。

至於ASML即將推出的下一代工具機，稱為「高數值孔徑」（High NA）EUV設備，雖然能列印出線寬更小的晶片特徵，但由於採用尺寸較小的光罩，目前在晶片列印尺寸上仍受到限制。

雖然英特爾（Intel）已將ASML最新的設備應用於其筆電處理器生產，但ASML本週表示，公司計劃採用更大尺寸的光罩，讓其最新設備能列印出與當前最大型資料中心晶片同等大小的晶片。

對於新一代High NA設備而言，採用更大尺寸的光罩將有助於推動更廣泛的高量產應用。目前這些設備雖已用於英特爾的生產線，但在台積電（TSMC）與三星電子（Samsung Electronics）尚未投入高量產作業。

另一方面，SK海力士（SK Hynix）在聲明中表示，公司正評估加入有關導入12吋光罩的聯盟，並指出其目標是在2028年將High NA EUV製程應用於DRAM量產。

台積電本週亦宣布，計劃自2030年起在其先進製程的高量產線中導入ASML的High NA技術；三星則規劃於2028年前將High NA EUV引入DRAM記憶體晶片的高量產作業。

ASML方面計劃在2031年展示搭載更大光罩的試產線，並於2033年使該新技術準備就緒以投入高量產。

ASML技術長Marco Pieters接受路透社採訪時表示：「如果我們整個產業能夠成功推動這項技術，你將會看到這些系統的生產力提升40%。」