AI需求狂潮推升記憶體身價　每平方毫米DRAM價值超越台積電先進製程

記憶體晶片如今在單位面積價值上，已正式超越運算晶片。受到AI產業龐大需求帶動，DRAM價格衝上歷史天價，且短期內毫無降溫跡象。Kurnal Insights分析師Kurnal最新觀察指出，以每平方毫米面積計算，DRAM的價值如今已超越採用台積電N2與N3製程生產的運算晶片。然而，這項比較雖然論點明確，背後卻存在一項重要的前提差異。

Kurnal根據業界外流資訊推算，一片300毫米晶圓若以台積電N3製程生產，成本約為2萬美元，除以晶圓面積後，每平方毫米價格約為0.283美元。至於更先進的N2製程，該分析師則假設晶圓價格高達3萬美元，每平方毫米價格約為0.424美元。不過這些數字均基於非官方資訊，且未將晶圓邊緣損耗、切割損耗、測試結構、瑕疵與良率等因素納入計算，因此應視為名目上的晶圓面積價格，而非實際可用矽晶的真正成本。

至於DRAM的計算方式則截然不同。Kurnal假設DRAM價格為每Gb 1.5美元，再依不同世代的位元密度進行推算。1y世代DRAM密度為每平方毫米0.219 Gb，換算後每平方毫米價值約0.329美元；1z世代密度提升至0.273 Gb/mm²，達到0.410美元；至於最新的1b世代，密度高達0.436 Gb/mm²，每平方毫米價值推算為0.654美元，明顯高於N2晶圓名目價格的0.424美元。

值得注意的是，這兩組數字的性質截然不同。N2與N3的數字代表外界推測的台積電晶圓代工收費，而DRAM的數字則代表每平方毫米矽晶所蘊含記憶體的潛在銷售價值，顯示在當前記憶體價格下，DRAM製造商理論上可從單一晶粒面積獲取的營收水準。

有趣的是，Kurnal Insights所採用的每Gb 1.5美元假設，幾乎與當前DDR5 eTT記憶體的現貨價格完全吻合。根據DRAMeXchange報價，16Gb DDR5 eTT晶片在9月21日的均價為24.80美元，相當於每Gb 1.55美元。以此價格計算，密度為0.436 Gb/mm²的1b DRAM，每平方毫米價值約為0.676美元，僅比Kurnal推估的0.654美元高出約3%。

雖然生產DDR5記憶體的成本理論上遠低於採用台積電N3製程製造邏輯晶片，但在DRAM供不應求的情況下，記憶體製造商從其矽晶圓中獲取的收益，確實已遠高於歷史水準。

不過，這項比較仍存在若干重要前提限制，使其難以直接論斷。首先，計算過程並未將封裝成本納入考量，而邏輯晶片通常需要採用更昂貴的封裝技術。其次，台積電是以代工模式生產晶片，實際晶圓價格取決於訂單量、客戶關係及其他商業條款，因此將推測的台積電晶圓價格與DRAM現貨價格相比，未必是公平對等的比較。

即便是記憶體研究機構TrendForce也指出，DDR5現貨採購量仍屬有限，交易活動相當零星，這意味著現貨價格未必能反映三星、SK海力士與美光等DRAM大廠實際銷售主力產品的價格水準。

從這個角度來看，合約價才是進行有意義經濟比較的更佳基準。然而，外界無法得知實際合約價格，雖然合約價肯定高於歷史水準，但可能不及現貨價格那般飆漲。因此，目前仍無法斷言DRAM製造商從其晶圓中獲得的收益，是否真的高於台積電從邏輯晶圓獲得的代工收入。