半導體市場大洗牌！1b DRAM每平方毫米成本竟比台積電N2晶圓貴54%

這充分彰顯了當前AI建設時代的瘋狂程度：儘管1b DRAM的製造難度遠低於台積電的先進製程晶圓，但其每平方毫米的成本如今竟然高於同等面積的台積電N2晶圓，半導體世界可說是完全翻了個樣。

根據Kernel Insight引述並由ZDNet報導的數據，台積電300毫米N3（3奈米）晶圓價格約為2萬美元，而同等尺寸的N2晶圓價格則約為3萬美元。換算下來，N3每平方毫米價格為0.283美元，N2則為0.424美元。

接著看1b DRAM的部分，其位元密度為每平方毫米0.436 Gb。以每Gb 1.50美元的參考價格計算，相當於每平方毫米成本約0.654美元，比台積電同等尺寸的N2晶圓貴了約54%。

值得注意的是，9月21日DRAM Exchange揭露16 Gb DDR5 eTT的報價為24.80美元，相當於每Gb約1.55美元。因此，就各方面來看，每Gb 1.50美元的參考價格是合理的估計值。

事實上，即便是已經推出多代的1z DRAM，以每平方毫米計算的成本也幾乎等同於台積電最先進的製程節點。1z DRAM的位元密度為每平方毫米0.273 Gb，換算下來每平方毫米的參考成本約為0.410美元。

這裡有一個至關重要的觀察點：DDR5的製造難度遠低於台積電N2製程同等尺寸的矽晶圓。然而，正因為當前DRAM嚴重且持續性的短缺，1b DDR5目前的售價竟比台積電最先進的晶圓溢價約50%。

更令人擔憂的是，這種失衡的態勢短期內恐怕難以回歸正常。三星的B1b製程是其首個次10奈米DRAM製造製程，預計將把記憶體單元與周邊驅動電路（peri）分別在不同的晶圓上製作，再透過晶圓對晶圓混合鍵合（hybrid bonding）技術將兩者接合，使記憶體單元堆疊在peri之上。由於混合鍵合技術成本極高，三星次世代DRAM的售價勢必將達到令人咋舌的溢價水準。

市場分析師指出，隨著AI基礎建設持續擴張，對高頻寬記憶體與高密度DRAM的需求呈現爆炸性成長，但產能擴增速度遠遠跟不上需求。加上三星、SK海力士、美光等主要DRAM廠商將產能優先分配給利潤更高的HBM產品，導致傳統DRAM供給更加吃緊，這種結構性供需失衡正是推動DRAM價格異常飆漲的核心因素。