三星將採用台積電3奈米製程 為輝達代工下一代NVHBM基底晶片
三星電子將採用台積電的3奈米製程技術,為輝達(NVIDIA)代工生產下一代客製化高頻寬記憶體(HBM)晶片的基底晶片(base die),根據《首爾經濟日報》週日的報導指出,這項合...
AI 重點精華 Takeaways
- 三星電子將首度於HBM生產階段與台積電合作,採用其3奈米製程為輝達代工下一代NVHBM的基底晶片
- 輝達要求三星、SK海力士及美光皆採用台積電製程生產NVHBM基底晶片,搭配第六代DRAM技術生產核心晶片
- 三星在接受輝達要求的同時,也正評估若需求超過台積電產能時,是否改由自家晶圓代工廠生產NVHBM基底晶片