三星將採用台積電3奈米製程 為輝達代工下一代NVHBM基底晶片

三星電子將採用台積電的3奈米製程技術，為輝達（NVIDIA）代工生產下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片的基底晶片（base die），根據《首爾經濟日報》週日的報導指出，這項合作將成為三星首度於HBM製造階段與這家台灣晶圓代工龍頭合作。

報導引述業界消息人士指出，輝達已要求三星、SK海力士以及美光科技（Micron Technology）採用台積電的製程來生產NVHBM的基底晶片，並運用第六代DRAM技術生產核心晶片（core die）。

NVHBM最早於今年8月亮相，該技術將輝達客製化的記憶體控制器整合至基底晶片中，目的是為了讓多家記憶體供應商之間的實作規格能夠標準化。

報導指出，三星在經過內部審查後，已接受輝達的技術要求，但同時也計畫在標準型HBM以及其他客戶的客製化產品方面，繼續沿用三星自家的生產模式。此外，三星也正評估若市場需求超出台積電的產能上限時，是否能改由自家的晶圓代工部門來生產NVHBM的基底晶片，報導引述一名未具名的消息人士透露上述說法。