三星將採用台積電3奈米製程 生產輝達新一代HBM記憶體基底晶片
根據《首爾經濟日報》週日報導,三星電子將採用台積電的3奈米製程技術,為輝達(NVIDIA)生產下一代客製化高頻寬記憶體(HBM)晶片的基底晶片。這項合作案象徵三星首度在HBM製造階...
AI 重點精華 Takeaways
- 三星電子將首度與台積電合作,採用其3奈米製程為輝達生產NVHBM基底晶片(base dies),這是三星首次在HBM製造階段與台積電合作
- 輝達要求三星、SK海力士及美光等三大記憶體廠商,統一採用台積電製程生產NVHBM基底晶片,並以第六代DRAM技術生產核心晶片
- 三星在接受輝達要求的同時,計畫保留其內部生產模式,繼續為其他客戶製造標準HBM及客製化產品,並評估若需求超過台積電產能時由自家晶圓廠接手