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全球財經 · 09/25 08:45 ⭐ 評分 4/10

比利時Sofics宣布特殊I/O拓撲於台積電FinFET與Nanosheet製程正式上線

比利時阿爾特——特殊I/O與靜電放電(ESD)防護IP領導供應商Sofics BV今日宣布,其特殊I/O拓撲設計已可在台積電(TSMC)的先進FinFET與Nanosheet製程上提供授權。為滿足客戶超越標準GPIO函式庫範疇的特殊需求,Sofics開發出能支援1.8V或3.3V等更高介面電壓的拓撲架構,並以台積電最先...

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比利時Sofics宣布特殊I/O拓撲於台積電FinFET與Nanosheet製程正式上線

比利時阿爾特——特殊I/O與靜電放電(ESD)防護IP領導供應商Sofics BV今日宣布,其特殊I/O拓撲設計已可在台積電(TSMC)的先進FinFET與Nanosheet製程上...

財智情報 AI 評分 4 分
比利時Sofics宣布特殊I/O拓撲於台積電FinFET與Nanosheet製程正式上線

AI 重點精華 Takeaways

  • Sofics BV宣布其特殊I/O與ESD防護IP現已可在台積電先進FinFET與Nanosheet製程上授權使用,支援1.8V與3.3V等更高電壓介面
  • 該技術主要應用於AI、高效能運算、Chiplet及車用SoC晶片設計,協助解決與感測器及傳統元件間的電壓匹配問題
  • Sofics自2010年起即為台積電開放創新平台(OIP) IP聯盟成員,其IP已廣泛被多家無晶圓廠公司採用於各世代製程節點