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#ASML #台積電 #EUV光罩 09/24 11:15

ASML與台積電攜手推進12吋EUV光罩世代轉型 目標2030年量產

全球半導體微影設備龍頭ASML與晶圓代工霸主台積電（TSMC）近日共同宣布一項重大合作倡議，將攜手主導半導體產業從現行6吋光罩（photomask）規格，全面轉...

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Key Takeaways

  • ASML與台積電宣布共同主導半導體產業從現行6吋光罩轉向12吋EUV光罩的產業級轉型，預期可顯著提升晶圓廠生產效率並降低製造成本
  • 台積電計畫自2030年起，在先進製程高量產線導入ASML的High NA EUV技術，並預期隨AI應用驅動電晶體架構複雜化，使用High NA EUV的層數將持續增加
  • ASML執行長Christophe Fouquet及台積電董事長魏哲家均強調，產業鏈上下游協同合作是推動先進製程普及與加速創新的關鍵
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#英特爾 #High-NA EUV #半導體製程 09/12 18:00

英特爾突破百萬片High-NA EUV晶圓處理量 超車所有競爭對手總和

英特爾近日宣布，其晶圓廠已處理超過100萬片採用高數值孔徑（High-NA）極紫外光（EUV）微影技術的晶圓，此里程碑超越了所有其他半導體製造商在相同技術上的累...

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Key Takeaways

  • 英特爾宣布已處理超過100萬片High-NA（高數值孔徑）EUV晶圓，累計產量超越所有競爭對手的總和
  • 此里程碑將加速其14A節點（1.4奈米級）於2026至2027年的風險量產進程，並優化缺陷模型與製程學習曲線
  • 相較之下，台積電採取較保守策略，預期High-NA EUV要到2020年代後半才會進入量產；三星則聚焦於閘極全環（GAA）電晶體架構
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#台積電 #High-NA EUV #半導體製程 09/08 18:45

台積電2030年導入High-NA EUV曝光技術 A10或A11製程有望率先採用

多年來，台積電一直盡量避免公開評論其採用數值孔徑0.55的EUV曝光技術（即High-NA EUV）的相關計畫，因為該公司的研發團隊深知如何在不使用造價高達4億...

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Key Takeaways

  • 台積電宣布將於2030年開始將High-NA EUV曝光設備投入量產，首批採用傳統6×6吋光罩
  • 2031年將建立6×12吋光罩的試產線，目標2033年將6×12吋High-NA曝光系統導入先進節點量產
  • 根據台積電製程藍圖，A10或A11（1/1.1奈米等級）製程最有可能成為首批採用High-NA EUV掃描機的關鍵節點
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