ASML與台積電攜手推進12吋EUV光罩世代轉型 目標2030年量產

全球半導體微影設備龍頭ASML與晶圓代工霸主台積電（TSMC）近日共同宣布一項重大合作倡議，將攜手主導半導體產業從現行6吋光罩（photomask）規格，全面轉向更大尺寸的12吋極紫外光（EUV）微影光罩世代。

根據雙方說明，High NA EUV技術初期將採用現有的6吋光罩導入量產，後續隨著產業逐步過渡至12吋光罩，將可進一步提升晶圓廠的生產效率、降低晶片製造成本，並解決當前面臨的「拼接」（stitching）限制問題，嘉惠整個半導體產業生態系。台積電指出，這項過渡將使先進晶片製造商能夠充分發揮High NA EUV的技術優勢，讓下一世代的先進製程晶片更具成本效益。

ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示：「我們預期High NA EUV的採用將沿著元件微縮路線圖逐步推進，初期使用現有的6吋光罩，之後將進一步由12吋光罩支援。這項技術不僅能提升掃描機的生產效率，也能協助產業滿足市場對更小、更快且更節能晶片的需求。」他進一步指出，很高興這項倡議能獲得半導體製造商、光罩供應商及合作夥伴的初期大力支持。

台積電董事長暨執行長魏哲家則強調：「我們一直相信，當整個產業共同攜手解決複雜的技術難題時，往往能釋放出任何單一企業都無法獨自實現的可能性。透過整合產業價值鏈中各環節的專業知識，我們希望能持續提供最先進技術的優勢，透過不斷創新降低進入門檻，讓先進解決方案得以規模化普及。」

在具體的量產時程方面，台積電已明確表示，計畫自2030年開始，在先進製程節點的高量產製造中導入ASML的High NA技術。台積電進一步指出，隨著技術節點持續推進，需要使用High NA EUV的層數將會持續增加，主要驅動力來自人工智慧（AI）應用對電晶體架構日益複雜化的需求。這也意味著AI晶片將成為推動下一代EUV微影技術普及的核心應用領域。

業界普遍認為，這項合作不僅彰顯ASML與台積電在半導體先進製程領域的領導地位，更象徵著半導體供應鏈上下游正加速整合，以因應AI時代對高效能運算晶片不斷攀升的需求。隨著12吋EUV光罩時代的來臨，晶片製造的成本結構、良率與產能效率都將迎來新一輪的優化。