ASML力推12吋光罩High-NA EUV技術 目標2033年量產、生產力提升40%
ASML正與客戶合作,研發適用於下一代High-NA(高數值孔徑)EUV微影設備的更大光罩格式。這項變革有望使該系統在打造最大型的AI與資料中心晶片時更加實用。ASML目前的EUV...
AI 重點精華 Takeaways
- ASML正與客戶合作開發適用於下一代High-NA EUV微影設備的12吋光罩格式,預計2031年展示試產線、2033年進入量產。
- 新光罩將使High-NA EUV系統能處理與現行EUV設備同等尺寸的大型晶片,預估生產力可提升約40%,有助AI與資料中心晶片製造。
- 英特爾已將High-NA EUV用於筆電晶片,但台積電、三星尚未在高階邏輯晶片量產中大規模導入;SK海力士與三星則預計2028年用於DRAM量產。