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#三星 #台積電 #輝達 10/18 14:30

三星將採用台積電3奈米製程 生產輝達新一代HBM記憶體基底晶片

根據《首爾經濟日報》週日報導，三星電子將採用台積電的3奈米製程技術，為輝達（NVIDIA）生產下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）晶片的基底晶片。這項合作案象徵三...

7 IMPT

Key Takeaways

  • 三星電子將首度與台積電合作，採用其3奈米製程為輝達生產NVHBM基底晶片（base dies），這是三星首次在HBM製造階段與台積電合作
  • 輝達要求三星、SK海力士及美光等三大記憶體廠商，統一採用台積電製程生產NVHBM基底晶片，並以第六代DRAM技術生產核心晶片
  • 三星在接受輝達要求的同時，計畫保留其內部生產模式，繼續為其他客戶製造標準HBM及客製化產品，並評估若需求超過台積電產能時由自家晶圓廠接手
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#AI基礎建設 #半導體供應鏈 #HBM記憶體 09/07 04:30

AI基礎建設與半導體供應鏈成焦點 台灣製造業重返繁榮、台積電全球布局受矚目

AI基礎建設與半導體供應鏈議題本週持續吸引讀者目光，焦點涵蓋台灣製造業景氣回升、安世半導體（Nexperia）的法律爭端、SanDisk推出的HBF（高頻寬快閃...

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Key Takeaways

  • 台灣製造業景氣信號重回紅燈繁榮區，但對美出口年增率從1月的267.6%急降至28.0%，創2025年2月以來新低
  • 美光計畫2026年底前將HBM產能翻倍至約10萬片晶圓月產能，12層HBM4占比有望升至50%，緊跟輝達Vera Rubin平台
  • 三星發表Galaxy S26 FE，售價104.5萬韓元起，主打中高階市場；Marvell預告近封裝光學將於2027年底至2028年初量產，異質整合重鎮仍為台灣
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