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#ASML #High-NA EUV #半導體微影 09/10 00:37

ASML力推12吋光罩High-NA EUV技術 目標2033年量產、生產力提升40%

ASML正與客戶合作，研發適用於下一代High-NA（高數值孔徑）EUV微影設備的更大光罩格式。這項變革有望使該系統在打造最大型的AI與資料中心晶片時更加實用。...

7 IMPT

Key Takeaways

  • ASML正與客戶合作開發適用於下一代High-NA EUV微影設備的12吋光罩格式，預計2031年展示試產線、2033年進入量產。
  • 新光罩將使High-NA EUV系統能處理與現行EUV設備同等尺寸的大型晶片，預估生產力可提升約40%，有助AI與資料中心晶片製造。
  • 英特爾已將High-NA EUV用於筆電晶片，但台積電、三星尚未在高階邏輯晶片量產中大規模導入；SK海力士與三星則預計2028年用於DRAM量產。
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