NVIDIA客製化HBM催生三星與台積電破天荒合作 攜手開發3奈米製程Base Die

AI浪潮促使三星與台積電結盟，雙方放下彼此在晶圓代工市場的競爭對手姿態，攜手投入一項關鍵合作。

三星過去在開發HBM（高頻寬記憶體）的核心晶粒（Core Die）與基礎晶粒（Base Die）時，通常採取「一條龍」垂直整合模式，意即由自家內部完成所有開發與製造流程。然而，根據最新報導指出，NVIDIA的客製化NVHBM需要更精簡的製造方式，促使三星與台積電兩家業者聯手，目標是在3奈米製程節點上共同開發Base Die，最終打造出標準化產品，並大幅減少品質驗證流程。

美光（Micron）與SK海力士也加入三星的行列，共同朝同一目標邁進。NVIDIA希望透過統一的製程，確保最終產品具備一致性的效能表現。外界先前已傳出，NVIDIA下一代「Feynman」GPU將搭載客製化HBM，該公司也宣稱這款自研解決方案的記憶體頻寬比標準HBM4E高出30%，同時功耗降低最多15%。

然而，要實現這些優勢，NVIDIA必須確保所有記憶體製造商採用一致的製程標準。這正是NVIDIA據傳要求三星、美光與SK海力士必須在台積電3奈米節點上製造NVHBM Base Die的原因。由於採用單一製程，NVIDIA無需逐一驗證不同供應商的樣品，能夠節省寶貴的時間與資源。

此外，核心晶粒部分則需採用第六代DRAM製程，亦即業界所稱的「1c」。NVIDIA之所以將所有記憶體巨頭齊聚一堂採用單一製程，其核心理由在於追求最終產品的效能一致性。透過統一使用台積電的3奈米製程來生產Base Die，NVIDIA不必再為每一家供應商的樣品單獨進行驗證，從而省去這項不必要的負擔，大幅節省時間與資源。

根據最新報導，三星已接受這項要求，這也是這家韓國巨頭首度放棄過往的「一條龍」垂直整合模式。不過，三星仍在評估自家的晶圓代工產線，以防NVHBM需求超出台積電的產能上限。至於標準HBM的核心晶粒與Base Die開發，三星仍將繼續主導。考量到這項解決方案帶來的龐大需求，三星對於與台積電建立這個「臨時同盟」顯然並不在意。

HBM堪稱三星晶圓代工業務的救命稻草。此前預估數據顯示，這家韓國巨頭的相關虧損大幅收斂，2026年的虧損金額從2025年的6.74兆韓元（約51億美元）降至3.92兆韓元（約29.5億美元），縮減幅度高達41%，成效相當顯著。