奈米製程爭霸戰：台積電2奈米良率達90% 領先英特爾與三星

在半導體奈米製程的激烈競賽中，三大晶圓代工廠的2奈米良率表現出現明顯落差。根據最新比較數據，台積電的良率高達90%，英特爾達到85%，而三星則僅約70%，顯示台積電在先進製程的技術成熟度上仍居於領先地位。

就2奈米晶圓產出而言，英特爾目前主要仰賴Fab 52與奧勒岡州希爾斯伯羅的D1X廠，每月產能約3萬片，其下一座18A廠Fab 62預計將加入生產線。台積電目前的2奈米月產能為6萬至6.5萬片，但規劃在年底前將產能推升至每月9萬至10萬片的規模，同時將有五座工廠同步進行產能拉升，其中兩座位於新竹，三座位於高雄。三星目前的2奈米月產能估計不到2萬片，不過其位於德州泰勒市的新廠預計將於明年上線，屆時可增加5萬片的月產能。

在更先進的1.4奈米製程開發方面，各家廠商的時程規劃也逐漸明朗。英特爾預計於2027年展開試產，並在2028年進入量產；台積電則據傳已進入試產階段，規劃2027年進行試量產，2028年達到量產規模。

至於1.4奈米的產能布局，台積電目前正在打造四座工廠；英特爾則將利用希爾斯伯羅的D1X廠，2028年也將啟用Fab 62。主要的1.4奈米產能將於2030至2031年間來自俄亥俄州的新廠。三星方面，則將1.4奈米的生產時程訂於2029年。

整體來看，台積電在這兩個先進製程節點上似乎將囊括大部分早期高價值的晶圓代工營收，進一步鞏固其在全球半導體製造市場的霸主地位。