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ASML力推12吋光罩High-NA EUV技術 目標2033年量產、生產力提升40%

ASML正與客戶合作,研發適用於下一代High-NA(高數值孔徑)EUV微影設備的更大光罩格式。這項變革有望使該系統在打造最大型的AI與資料中心晶片時更加實用。...

7 IMPT

Key Takeaways

  • ASML正與客戶合作開發適用於下一代High-NA EUV微影設備的12吋光罩格式,預計2031年展示試產線、2033年進入量產。
  • 新光罩將使High-NA EUV系統能處理與現行EUV設備同等尺寸的大型晶片,預估生產力可提升約40%,有助AI與資料中心晶片製造。
  • 英特爾已將High-NA EUV用於筆電晶片,但台積電、三星尚未在高階邏輯晶片量產中大規模導入;SK海力士與三星則預計2028年用於DRAM量產。

Intel與ASML推進High-NA EUV進入量產,經濟效益能否跟上?

Intel Corporation(NASDAQ: INTC)與ASML Holding N.V.(NASDAQ: ASML)近日提供新證據,顯示高數值孔徑(H...

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Key Takeaways

  • Intel與ASML在SPIE會議上宣布High-NA EUV微影技術已累計處理超過100萬片晶圓,證實該技術正邁向商業量產階段
  • 雖然製程技術進展顯著,但Intel晶圓代工業務2026年第二季仍虧損21億美元,外部客戶營收僅2.93億美元,商業化挑戰仍在
  • 美銀分析師看好產業生態系正圍繞High-NA形成共識,但台積電規劃2030年才導入量產,業界普遍認為商用普及仍需時間