美國與日本正崛起為三星電子與SK海力士下一個關鍵的晶片生產基地,這兩家韓國晶片大廠正積極擴大產能,以滿足人工智慧(AI)半導體急速攀升的需求。
兩國各具優勢。美國方面,由於鄰近輝達(NVIDIA)與特斯拉(Tesla)等主要客戶,加上各項投資獎勵措施可望抵銷建廠成本,甚至可能降低川普政府半導體關稅的衝擊。日本方面,則擁有成熟的晶片設備與材料供應商生態系、部分地區穩定的水電供應,以及政府提供的大規模半導體投資補貼。
對於晶片製造商而言,設廠地點的選擇已超越單純的客戶距離。隨著企業承諾投入數十億美元興建新晶圓廠,可靠的電力與水源供應,以及政府獎勵措施的重要性日益提升。
一名產業官員表示:「企業會仔細評估各項獎勵措施,包括基礎建設與補貼在內。它們首先需要評估水電是否能夠順利供應。」
日本近來特別受到SK海力士的關注,被視為潛在的製造基地。該國擁有東京威力科創(Tokyo Electron)等主要半導體設備與材料供應商。台積電為SK海力士高頻寬記憶體(HBM4)製造基礎晶圓(base die)的據點位於熊本廠,而美光(Micron)則在廣島生產DRAM。
日本政府也提供豐厚的財務支援以吸引半導體投資。根據規劃,日本將提供最高1.2兆日圓(約77.3億美元)補助款給台積電的熊本一廠與二廠,並提供最高5,000億日圓支持美光在廣島的擴廠計畫。
SK集團會長崔泰源也釋出對日本日益增長的興趣。崔泰源本月稍早接受日本《朝日新聞》採訪時表示,與鎧俠(Kioxia)的合作生產是「一個選項」,兩家公司也可在研發、供應鏈共享,甚至共同建廠等方面進行合作。
崔泰源指出:「即使考量風險與文化因素,日本仍是一個極具吸引力的候選地點。」
這位會長以日本在半導體設備與材料供應商的高度集中以及強大的製造業基礎為主要優勢,並表示SK集團正在日本各地尋找潛在設廠地點。
然而,美國仍是關鍵選項,因為華府正加大施壓,要求外國晶片製造商擴大在美國本土的生產。
三星電子正在德州泰勒市(Taylor)興建先進晶圓廠,首座晶圓廠預計將於今年底開始量產,第二座晶圓廠則正在評估以擴增產能。特斯拉的次世代AI5晶片預計將採用三星2奈米製程於該廠生產。美國政府已承諾提供最高47億美元直接資金,支持三星電子在德州的半導體投資。
與此同時,SK海力士上個月在印第安納州動土興建先進封裝與研發設施,計劃使用在韓國生產的記憶體晶圓進行HBM封裝。該廠預計將於2029年第三季開始量產HBM4E。
華府的施壓動作在川普政府準備對半導體祭出針對性關稅之際持續升溫。
美國商務部長霍華德·盧特尼克(Howard Lutnick)週三(當地時間)接受CNBC採訪時表示:「我認為你們將看到的是經過深思熟慮的針對性關稅政策,基本上就是告訴大家:如果你在美國設廠,你就不用付;但如果不在美國設廠,進入這個全球最偉大的市場就必須付出代價。」此番言論增加三星電子與SK海力士擴大在地製造的壓力。
這股壓力來臨之際,兩家公司同時也正加速國內投資。SK海力士日前通過規模達54.3兆韓元的新廠計畫,將在京畿道龍仁市與忠清北道清州市興建新晶圓廠,以擴大DRAM與NAND快閃記憶體產能;三星電子則持續推進擴大國內半導體布局的計畫,包括於光州市廣域市興建新廠。