德州大學攜手台積電研發新型磁性記憶體 有望大幅降低AI能耗

德州大學奧斯汀分校的研究團隊正測試一款新型磁性記憶體，盼能讓人工智慧（AI）裝置運算速度更快，並大幅降低能源消耗。根據美國學術媒體《Knowridge》報導，工程師們與台灣積體電路製造公司（TSMC，台積電）合作開發這項被稱為「自旋軌道力矩磁性隨機存取記憶體」（SOT-MRAM）的技術。研究結果已發表於權威學術期刊《Science Advances》。

SOT-MRAM透過磁特性來儲存資訊，與傳統電腦記憶體不同，即使在電源關閉後仍能保留數據。這項技術結合了高速運作、低能耗與高耐用性等優勢，非常適合應用於資源受限的裝置。不過，該技術的挑戰在於僅能以兩種狀態（0與1）儲存資訊。對此，研究團隊設計了一套能充分利用這兩種狀態、同時維持AI應用所需精確度的運作系統。

測試結果相當亮眼：每次寫入操作僅需約2奈秒，且僅消耗2皮焦耳（picojoules）的能量。相比之下，其他記憶體技術的寫入時間則慢了5倍到數百倍不等。

降低能源消耗至關重要，因為大型資料中心需要消耗龐大的電力。研究團隊認為，新型記憶體有望讓資料處理在邊緣裝置（edge devices）上本地完成，而非仰賴遠端的資料中心。例如，機械手臂可透過本地AI即時應對危險的高溫情境，無須再與雲端通訊。這將使智慧裝置的反應速度更快，並降低對雲端運算的依賴。