SK海力士斥資40億美元在印第安納州設廠 打造美國首座先進封裝與研發設施

SK海力士（SK hynix）正式在美國印第安納州破土動工，興建其首座美國製造基地，這座耗資40億美元的先進封裝與研發設施，將落腳於西拉法葉（West Lafayette）的普渡研究園區（Purdue Research Park）。該園區佔地133英畝，旨在緩解AI硬體供應鏈的瓶頸，透過將國內的高頻寬記憶體（HBM）封裝產能拉近美國主要客戶，如輝達（NVIDIA）等。

SK海力士在新聞稿中指出，公司將在其韓國廠房生產最先進的DRAM晶圓，隨後運往西拉法葉。抵達後，員工將利用先進的互連技術將晶粒垂直堆疊，以生產用於下一代AI加速器的高密度HBM模組。

「此外，一座『先進封裝研發測試平台』將與生產線一同建造，讓客戶、大學與商業夥伴能夠協同開發下一代封裝技術，並快速執行原型製造與效能驗證，」SK海力士表示。

印第安納州廠房的無塵室預計於2028年10月啟用，而大規模商業生產則瞄準於2029年下半年。SK海力士預計，該廠全面運轉後，將成為一個主要的HBM生產中心，並僱用約1,000名美國員工。

此計畫的投資額從最初估計的39億美元擴增至超過40億美元，並獲得聯邦透過CHIPS法案提供的最高4.58億美元直接撥款以及5億美元的擬議貸款支持。

除了廠房興建，SK海力士也與普渡大學（Purdue University）簽署了研究框架協議，以合作開發先進封裝技術，並為當地工程畢業生建立人才培育計畫。SK海力士表示，公司正在為印第安納州廠區評估超過100家供應商，涵蓋材料、零組件及設備。該廠不僅將僱用1,000名員工，還預計為更廣泛的區域生態系創造約7,000個直接與間接就業機會。

參議員Young表示：「SK海力士在西拉法葉歷史性的投資，進一步證明印第安納州正在引領美國半導體產業的重建。此計畫將創造高薪就業機會，強化我們的國家與經濟安全，並確保未來的科技能在美國本土開發與製造。」

儘管首批印第安納製造的HBM堆疊晶片運送至輝達等合作夥伴手中還需數年時間，但從SK海力士的角度來看，隨著擴展AI基礎設施的競爭日益激烈，新廠將有助於穩定美國半導體供應鏈，並在AI時代為國家經濟與安全帶來助益。