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台積電將採用艾斯摩爾下一代 High NA EUV 機台 2030年起量產迎戰AI需求

台灣積體電路製造公司(TSMC)週二正式宣布,計劃自2030年起,於高產量製造階段導入荷蘭半導體設備大廠艾斯摩爾(ASML)的下一代先進 High NA 極紫外...

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Key Takeaways

  • 台積電宣布將自2030年起,於高產量製造中導入荷蘭半導體設備商艾斯摩爾(ASML)的下一代 High NA 極紫外光(EUV)微影機台
  • 該機台每台造價最高可達4億美元,主要用於在半導體晶圓上蝕刻精密電路圖案
  • 隨著製程節點持續推進,台積電預期 High NA EUV 機台的使用比例將逐步提升,以滿足AI應用對複雜電晶體架構的迫切需求

高通攜AWS開發客製AI晶片 ASML與台積電推動12吋光罩轉型 英特爾股價飆漲9.5%

美股半導體類股在午後交易中集體走強,主因高通宣布與亞馬遜雲端服務(AWS)達成多年期產品合作,共同開發客製化AI資料中心基礎設施,同時ASML、台積電與英特爾在...

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Key Takeaways

  • 高通宣布與亞馬遜AWS達成多年期產品合作,共同開發客製化AI資料中心基礎設施晶片,股價上漲3.3%
  • ASML與台積電在SPIE光罩會議上宣布聯合產業倡議,從傳統6吋光罩轉向12吋格式,目標2031年試產、2033年全面量產
  • 英特爾晶圓代工與ASML達成重大里程碑,在Intel 18A節點上使用High NA EUV設備處理超過100萬片晶圓,推動英特爾股價大漲9.5%

ASML攜手大客戶推進次世代光罩技術 目標2033年量產升級版High NA EUV設備

荷蘭半導體微影設備龍頭ASML近日宣布,將與其主要客戶攜手合作,共同生產該公司最先進的工具機,目標是打造用於開發輝達(NVIDIA)等業者所設計的大型資料中心晶...

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Key Takeaways

  • ASML宣布將與主要客戶合作,採用更大尺寸的光罩以提升其下一代High NA EUV微影設備的產能,預計2031年展示試產線,2033年進入量產。
  • 目前High NA EUV設備受限於較小的光罩尺寸,無法列印與現行資料中心晶片同等大小的晶片,升級後將突破此限制並提升40%生產力。
  • 台積電計畫2030年將High NA EUV導入先進製程量產,三星與SK海力士則瞄準2028年用於DRAM記憶體量產。