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7.2/10

全球最快成長記憶體ETF破紀錄 Roundhill記憶體ETF資產暴增

新台幣記lyout,紐約訊訊 -- 近日,全球投資者紛紛聚焦於一檔 appena上市的ETF:Roundhill Memory ETF。根據X平台(前Twitt...

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Key Takeaways

  • 全球新發行的Roundhill Memory ETF在上市27天內資產突破65億美元,成為歷史上資金流入最快的ETF。
  • 該ETF持有19檔記憶體半導體公司,重點持倉包括SK海力士、Micron科技與三星電子,且自發行以來漲幅已達90%。
  • 與iShares Bitcoin Trust ETF的成長速度比較,顯示記憶體半導體需求因AI熱潮而持續強勁。

記憶體ETF(DRAM)six週內資產突破65億美元,AI基礎建設熱潮再掀波動

記憶體ETF(Roundhill Memory ETF,代號 DRAM)的飆升已成為 2026 年人工智慧基礎建設熱潮的「海報標誌」之一。該基金於 2026 年...

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Key Takeaways

  • DRAM ETF於4月2日上市,六週內資產管理規模即衝破65億美元,成長速度僅次於二十年代期 spot Bitcoin ETF
  • 產業鎖定於「記憶牆」概念,AI模型對高帶寬記憶體(HBM)需求激增,帶動長期合約價格飆升
  • ETF高度集中於三大記憶體公司,占總 weight 超過七成,技術與心理指標已呈現 2000 年科技泡沫末期的類似徵兆

記憶體ETF單日下跌5% 六週漲翻翻倍

DRAM ETF(CBOE:DRAM)在早盤交易中下跌約5%,股價 approximately $52.30,較上一交易日的 $55.08 有所回落。此跌幅正值...

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Key Takeaways

  • DRAM ETF在六週翻倍後單日跌約5%,報 near $52.30
  • 基金重點持倉包括三星、SK海力士與Micron,占資產比重達73%
  • 市場關注Micron、SanDisk與Western Digital的業績指引與股價波動

記憶體ETF持續飆升 2026年漲近百%

環球記憶體ETF(代號:DRAM)近期持續飆升,最新交易價近55美元,單日上漲約6%,自發行以來已漲至約107%。此漲幅是受益於人工智慧(AI)對高帶寬記憶體(...

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Key Takeaways

  • 環球記憶體ETF(代號:DRAM)近期持續飆升,最新交易價近55美元,單日上漲約6%,自發行以來已漲至約107%。
  • 此漲幅是受益於人工智慧(AI)對高帶寬記憶體(HBM)與NAND Flash需求激增所驅動的結構性超長期行情,訂單預計延續至2027年。
  • 主要持倉如美光、SanDisk、Western Digital等年內股價暴漲數百%,後市仍受熱捧。