中國半導體設備國產化達35% NDRC宣稱供應鏈「顯著更安全」 隱藏瓶頸與光罩天花板仍未突破

中國最高經濟規劃機構今早宣布，該國半導體供應鏈已變得「顯著更安全」——這是自2022年美國主導的出口管制行動正式啟動以來，北京在半導體自給自足議題上發出的最為自信的官方評估。國家發展和改革委員會（NDRC）發言人李超在記者會上描述了向「全鏈條協同」的轉變，從過去的「單點技術突破」邁向「全鏈條產業協同」。這項主張背後有真實且可驗證的里程碑支撐：截至2025年，中國本土晶片設備在中國晶圓廠安裝的所有半導體製造設備中，市占率已達到35%，較前一年的25%大幅躍升，並遠超北京原先設定的30%目標。

35%這個數字是真實的。然而NDRC並未對外強調的是，要達到70%——北京為2027年設定的目標——還需要做什麼，以及剩餘的差距究竟落在哪裡。從今天的35%到明天的70%之間的距離，並非平均分散在整個晶片工具鏈中。在最顯眼的製程環節中，國產工具已取得主導市占；但在這些工具底下的零組件層——包括射頻電源、精密真空閥門，以及設備內部使用的高純度石英零件——中國仍然有80%至90%依賴外國供應商。這些零組件正是美國出口管制已經涵蓋的範圍，也是業界所稱中國供應鏈「隱藏瓶頸」的所在。這也是為什麼「全鏈條產業協同」描述的是一個方向，而非終點。

中國實際勝出的領域：蝕刻、沉積與中芯的NAURA

工具層級的進展是具體且有文件佐證的。三家中國設備製造商——北方華創（NAURA Technology Group）、中微公司（AMEC）以及盛美上海（ACM Research Shanghai）——在2025年首度依銷售額躋身全球前20大半導體設備供應商。它們在中國晶圓廠的國內市占率合計在其競爭的產品類別中達到45%至50%。

在國產化進展最快的類別中，數據令人�目。北方華創的氧化與擴散爐目前在中芯國際28奈米產線部署的設備中，市占率已達60%。整體熱處理製程在中國晶圓廠的國產化滲透率達到30%至40%。蝕刻與薄膜沉積——中微與北方華創與科林研發（Lam Research）和應用材料（Applied Materials）最直接競爭的兩大類別——已突破40%的國產化門檻。中微的5奈米蝕刻設備進入台積電先進製程產線的驗證階段，這意味著至少有一款中國工具通過了業界最嚴格的認證程序。沉積設備商拓荆（Piotech）於2025年在長江存儲（YMTC）3D NAND產線的電漿增強化學氣相沉積設備安裝市占率翻倍，從15%提升至30%。

根據中國半導體行業協會的數據（多家產業媒體引用），北方華創截至2027年第一季的訂單已接滿。北方華創的營收正按計畫於2026年達到約468億至520億人民幣（約70億至77億美元）的水準，相當於十年前營收水平的約30倍。

這項進展並非偶然。北京目前要求晶圓廠擴產審批須以50%國產設備為前提——這項強制規定使國產工具的認證從自願性的偏好選擇，轉變為營運上的必要條件。大基金三期——中國國家主導的半導體投資工具第三階段——於2024年成立，註冊資本3,440億人民幣，財政部持股17%為最大股東，國開金融與主要國有銀行為其餘18位投資人之一。大基金三期與前幾期不同之處在於其優先重點：不同於先前聚焦於晶片設計與製造的階段，這一輪明確將重心放在晶片製造材料與製造設備——也就是NDRC如今援引作為供應鏈更安全證據的環節。DigiChina對中國第15個五年規劃的分析確認，設備與材料是當前階段的核心投資優先專案。

隱藏瓶頸：工具內部的零組件

設備國產化統計衡量的是整機，但並未衡量使這些設備運作的零組件。

一個電漿蝕刻腔體——即中微與北方華創為晶片生產的蝕刻步驟所製造的類型——需要射頻（RF）電源將製程氣體激發為電漿狀態。這種由離子與反應性自由基組成的帶電混合物，會撞擊晶圓表面，以奈米級的幾何精度選擇性地移除材料，雕刻出電路圖案。若沒有射頻電源以13.56百萬赫茲（以及在400千赫茲、2百萬赫茲或60百萬赫茲等副頻率下）精確控制波形輸出，蝕刻腔體就無法運作。全球射頻電源市場由美國公司MKS Instruments、Advanced Energy Industries與Comdel主導，合計市占率達65%至75%。中國本土射頻電源的滲透率僅約20%，且主要集中在成熟製程的設備配置上。先進製程蝕刻所需的高功率射頻電源（需精準輸出10千瓦以上的功率）仍處於業界所稱的「國產攻堅階段」：積極開發中，但尚未進入大規模生產部署。

精密真空閥門的情況更為嚴峻。中國在蝕刻腔體、化學氣相沉積（CVD）反應腔、擴散爐等設備國產化進展最顯著的類別中，全都依賴精密閥門來控制腔體內部定義製程環境的氣體流量。瑞士製造商VAT Group掌握全球精密真空閥門市場約60%至70%的市占率。中國本土閥門製造商，包括浙江古泰與上海眾熹，在成熟製程配置上仍處於能力建置的早期階段。高階腔體閥門的滲透率不到10%——是所有主要子零組件類別中最低的。石英零件——用於熱處理、蝕刻與CVD的高純度管材與腔體襯裡——國產化率位於30%至40%區間，領先閥門但仍嚴重依賴日本與美國供應商。

這就是35%與70%之間差距背後的算術。工具層級的國產化率衡量的是可見的部分；子零組件層級衡量的是其下的部分。在工具層級，中國於2025年突破35%，目標是2027年達到70%。在子零組件層級，主要的限制因素——精密閥門——不到10%。

NDRC「顯著更安全」的框架還迴避了一個更進一步的意涵。產業所稱的「隱藏瓶頸」上游子零組件，不僅是美國可能選擇瞄準的風險，它們早已落入美國《出口管制條例》（EAR）的涵蓋範圍。出口管制邊界並非止於成品工具，而是延伸到其內部的上游子零組件。中國的設備國產化推進降低了對工具級管制的曝險，但並未降低已經生效的子零組件管制的曝險。NDRC的聲明描述的是一個在工具層面確實有所強化的晶片供應鏈，但對其下的層級保持沉默。

中國設備進展能否通過基準檢驗？

科技新聞報導中的「具體發現優先原則」要求我們承認一個產業消息來源持續標記的差距：中國設備製造商的性能聲明往往來自企業自身或接近官方的媒體，而非獨立發表、同行審閱的製程數據。

中微執行長尹志堯於2026年5月在官方媒體中央電視台表示，中微的蝕刻系統已用於台積電的供應鏈。台積電並未獨立確認該關係的範圍或持久性。中微聲稱全球邏輯產線運作中的4,000座電漿蝕刻腔體，這是源自中微的數字，未經獨立第三方稽核確認。目前並無公開的獨立基準比較，就中微Primo系列工具與科林研發或應用材料同等級電漿蝕刻工具進行同行審閱的評比。這項差距並非中微所獨有——中國設備製造商普遍不公布西方設備商在認證過程中提供給晶圓廠客戶的那種獨立製程窗口與每片晶圓良率數據。

戰略與國際研究中心（CSIS）在2026年5月一份關於晶片國產化的分析中精準記錄了這個動態：西方工具製造商在中國的銷售仍在成長，但企業告訴CSIS，在沒有中國去美化措施的情況下，這個成長本應顯著更高。這個限定條件很重要：國產設備贏得市占，部分是透過政策強制，而非純粹透過具競爭力的性能對等。50%國產採購要求意味著中國晶圓廠無論國產工具性能是否與西方替代品完全相同，都必須認證國產工具。在強制規定下的認證與基於性能驅動的採用並不相同。

日經亞洲於2025年報導，台積電決定從其最先進的2奈米晶圓廠中淘汰中國製設備，理由是援引擬議中的《設備法案》（EQUIP Act）——該法案將禁止《晶片法案》補貼接受者向「受關注外國實體」購買工具，此類別普遍被理解為包括中國設備供應商。這個天花板——中國設備在領先製程國際市場的關閉——限制了「顯著更安全」的敘事對全球供應鏈架構實際上能代表的意義。

無人撼動的光罩地板

設備國產化與供應鏈安全並非同義於先進晶片製造能力。這項區別至關重要，而NDRC並未加以釐清。

中國本土設備採用進展——雖屬實在——僅解決了一個問題：在美國設備供應商遭受進一步限制時，中國晶圓廠能否維持其產線運作。它並未解決中國晶圓廠能否生產領先製程晶片的問題。那個問題受制於不同的約束：微影曝光（lithography）。

微影曝光——使用光線將電路圖案轉印至矽晶圓的步驟——決定了一座晶圓廠所能生產的最小特徵尺寸。在特徵尺寸低於約7奈米時，極紫外光（EUV）微影曝光是使能技術。EUV使用13.5奈米波長的光線，在單次曝光中印製特徵，實現7奈米以下邏輯晶片所需的幾何精度。荷蘭製造商艾司摩爾（ASML）是全球唯一的EUV系統商業生產者。中國無法合法購買。沒有EUV的情況下，中國晶圓廠以深紫外光（DUV）多重曝光技術達成7奈米等效特徵尺寸——這種技術將每個電路層不是印製一次，而是分開依序印製二至四次。每次額外的曝光都會引入疊加誤差的累積：跨多次曝光累積的微小位置偏差，降低最終電路特徵的幾何精度。結果是結構性低於EUV賦能生產所能達到的良率。

中芯國際（SMIC）——中國最大的晶圓代工廠——據估計於2026年在其7奈米節點的良率僅約23%。這意味著在該節點運行的每四個晶圓插槽中，能產出的可用先進晶片不到一顆。高盛於8月24日發布的供應模型預測，在僅有DUV的約束下，中芯國際良率到2035年將達到75%——這是當前水準的三倍，且沒有歷史先例。

設備國產化有助於中國維持並擴張其現有晶圓廠。光罩天花板則限制了這些晶圓廠能生產的產品。NDRC的「全鏈條產業協同」描述的是一條在各個環節都變得更自給自足的供應鏈——除了曝光圖案化步驟，該步驟受制於一項荷蘭出口許可，自2019年以來一直被阻擋。

中國計畫如何跨越差距？

李超將NDRC的主張框定在第15個五年規劃（涵蓋2026年至2030年）的脈絡中。該規劃於2026年3月發布，要求在積體電路、工業機床、高階儀器、基礎軟體、先進材料、生物製造等優先領域的全鏈條關鍵核心技術取得突破。DigiChina對該規劃的分析指出，相較於其前身——一份在2022至2025年美國半導體出口管制浪潮改變產業面貌之前起草的文件——新的規劃更明確地強調打破瓶頸、掌握「戰略主動權」，並圍繞關鍵技術的韌性控制重組國家支援。

產業政策框架已產生具體的金融架構。除了大基金三期的3,440億人民幣（約512億美元）之外，一個由13位領先晶片公司高階主管組成的小組——包括長江存儲董事長陳南翔與北方華創董事長趙晉榮——已提出一份五年路線圖，呼籲到2030年實現80%半導體自給率，使用完全國產設備建造並測試7奈米晶片產線，並在14奈米實現穩定生產。中國目前要求新產能來源的晶圓廠採用50%國產設備——這項政策使國產工具採用成為產能擴張的條件，從而將NDRC援引的市占數字從商業結果轉變為政策結果。

第15個五年規劃的雄心本身並非不可實現。問題在於，NDRC今天宣布的設備國產化軌跡——在工具層級屬實、在子零組件層級受限、在天花板受EUV禁令箝制而無論多少國產設備支出都無法改變——是否與該規劃的自給率目標一致。中國晶片產業此前曾超越其自身工具國產化目標，正如今天35%對比30%目標所證實的。但子零組件差距是否能以同樣速度縮小，是NDRC尚未回答的下個問題。

中國設備進展對國安數據存取意味著什麼？

半導體設備國產化的進展並未改變生產這些設備的企業所適用的法律框架。

中國於2017年頒布的《國家情報法》第7條要求管轄範圍內的所有組織與公民「依法支持、協助和配合國家情報工作」。同一法律的第14條授權情報機關可要求此類協助。第14條下並無企業退出機制。中國《網絡安全法》（2016年頒布，2026年1月1日生效之修正案）與《數據安全法》（2021年）施加額外的數據在地化要求與政府存取規定。這些義務適用於北方華創、中微、盛美、拓荆及所有其他中國設備製造商，不論其作為上市公司的掛牌狀態、企業總部所在地，或其聲明的獨立於政府指導之外的身份。北方華創以國有背景的北京電子控股為控股股東。大基金三期——以財政部為最大單一股東的國家投資工具——是NDRC今天援引其成果的國產設備推動的金融支持者之一。

對於任何考慮在其生產環境部署中國設備的西方或台灣晶圓廠營運商而言，實際的問題是北方華創或中微的工程師在安裝、校準與維修期間對製程配方數據（process recipe data）有何種存取權限。製程配方——定義晶圓處理方式的特定蝕刻參數、氣體化學成分、功率設定與時序序列——是晶圓廠擁有的最具競爭敏感性的資訊之一。目前並無對任何中國設備公司工具或服務實務的獨立安全稽核公開發布。迄今也無公開披露的客戶協議明確規定服務訪問期間製程數據存取如何受規範。2026年3月，由參議員沃倫與柯頓領導的兩黨參議院銀行委員會信件警告，中國設備公司的服務訪問可能使這些公司接觸到能夠「被重新利用以推進中國本土半導體產業」的製程能力。

「顯著更安全」描述的是一條在使用工具製造晶片方面更為自給自足的供應鏈。它並未描述一條已經解決了使這些工具製造商可被強制配合國家情報工作的法律框架的供應鏈。這是兩項不同的主張，而今天記者會上僅出現了其中之一。

本文中的貨幣轉換為約略值，基於2026年8月29日的匯率。

常見問題

35%的國產設備採用率實際衡量的是什麼——又忽略了什麼？

這個35%的數字（由中國半導體行業協會根據2025年數據發布）衡量的是中國晶圓廠安裝的半導體製造設備價值中來自本土供應商的占比。它涵蓋的是整機——蝕刻系統、化學氣相沉積腔體、熱處理爐。它並未涵蓋這些工具內部的子零組件：射頻電源（約20%國產）、精密真空閥門（不到10%國產，由瑞士VAT Group主導）以及高純度石英零件（30%至40%國產），這些都是使工具運作所必需的。這些子零組件已受美國《出口管制條例》涵蓋。中國在工具層級的進展並未自動延伸至零組件層級，而這是第15個五年規劃為達成2027年70%目標所需解決的下一層國產化挑戰。

NDRC「顯著更安全」的說法是否意味著中國現在能在沒有外國幫助的情況下製造先進AI晶片？

不能。NDRC描述的供應鏈安全主要涉及成熟節點晶片製造——用於微控制器、電源管理晶片以及商業上具規模的記憶體的28奈米與14奈米製程。在供應鏈的高端——7奈米及以下、用於AI加速器與尖端�輯處理器的晶片——約束條件仍是微影曝光。中國無法合法購買台積電與三星用於在單次精確曝光中印製先進晶片的極紫外光（EUV）曝光機。沒有EUV的情況下，中國晶圓廠改用深紫外光多重曝光，這項技術需要多次依序曝光，每次引入幾何誤差，限制可達成的良率。高盛預測，中芯國際在其7奈米等效節點的良率將從目前的約23%上升至2035年的75%——這有賴於一項在這些約束條件下沒有歷史先例的工程改進。

產業用來描述中國半導體設備供應鏈的「隱藏瓶頸」具體指什麼？

隱藏瓶頸指的是餵入半導體製造設備（而非直接進入晶片生產）的上游子零組件。由於大多數國產化統計計算的是成品工具，因此這些工具內部的零組件——特別是射頻電源、精密真空閥門與特殊石英零件——在進展評估中系統性地被低估。射頻電源激發蝕刻與CVD腔體內部的電漿；沒有精確的射頻輸出，雕刻電路特徵的蝕刻製程就無法運作。瑞士VAT Group生產全球60%至70%的精密真空閥門，用於控制製程腔體內部的氣體流量。中國在高階腔體閥門的本土能力不到10%。由於美國《出口管制條例》明確涵蓋了許多這類子零組件，隱藏瓶頸不僅是未來的脆弱性——它已經處於現有的出口管制邊界之內。

如果一家西方公司使用中國製半導體設備，這對中國設備製造商會產生什麼法律義務？

使用一家受中國法律約束的公司所製造的設備，本身並不會將採購公司的數據暴露給中國情報機關。然而，它確實建立了一個與設備供應商的關係，該供應商依中國《國家情報法》第7條，在情報請求出現時依法須配合中國情報工作。實際風險不在設備本身，而在服務關係：當中國設備公司工程師在晶圓廠的生產線上安裝、校準或維修工具時，他們可能獲得存取存在製程配方數據（process recipe data，定義晶圓廠競爭優勢的精確參數）的環境。目前並無對任何主要中國設備製造商服務實務或數據治理的獨立安全稽核公開發布。在與美國政府合約相�的環境中部署中國設備的企業，應審閱參議院銀行委員會2026年3月就此議題發出的警告信，並就適用義務諮詢法律顧問。