記憶體ETF（DRAM）six週內資產突破65億美元，AI基礎建設熱潮再掀波動

記憶體ETF（Roundhill Memory ETF，代號 DRAM）的飆升已成為 2026 年人工智慧基礎建設熱潮的「海報標誌」之一。該基金於 2026 年 4 月 2 日正式上市，六週內即突破 65 億美元資產管理規模（AUM），成長速度僅次於去年 spot Bitcoin ETF 的紀錄。

然而，對於具備完整市場歷史觀念的投資者而言，這波垂直上升正逐步顯現出與 1999‑2000 年 Nasdaq 泡沫末期相似的避坑訊號。

在此同時，SanDisk 股價因大盤回檔而在更廣泛的晶片回補潮中承壓，而 GOOG 股即將逼近 400 美元大關，亦可能受到市場波動的影響。5 月 14 日，Xanadu 量子計算相關股票將召開重要會議，市場關注度亦同步提升。

DRAM 及其核心持倉（Micron、SK Hynix、Samsung）的價格上漲，建基於「記憶牆」概念 — — 隨著 AI 模型複雜度提升，演算法的瓶頸已從 GPU 轉向記憶體帶寬。這促使大型科技高階雲端服務商在 2027 年前，以預付式訂單方式資金 supporting 記憶體巨頭的資本支出，提供價格底部支撐。

然而，長期合約價格同樣在急升，而消費者層面的 PC 及智慧手機傳統高帶寬記憶體（HBM）即期價格卻出現斷崖式下跌。

從持倉結構來看，DRAM ETF 高度集中於三檔股票，佔總持倉約 70%，總持倉股票數少於 15 檔。此種高度集中與技術面、心理面的極端情形，正呼應 2000 年科技高峰時的典型徵兆。作者親身經歷過當時的泡沫，亦見證過此類模式的重演，雖無法確定何時終止，但確信此為「何時」而非「若」。

以下為 DRAM 的 4 小時走勢圖，僅列出上市數週內的價格變化，以凸顯近期的急劇上揚。

記LEMENT：[圖表連結]

半導體股目前以 200 日移動平均線的幅度創下自點擊泡沫以來最大差距，VanEck 半導體 ETF（SMH）亦呈現類似走勢。

整體資訊技術（IT）產業的市盈率約 27 倍，許多受益於 AI 的成長股卻已突破三位數前瞻盈餘比率，根據本金傷亡無所容身。

DRAM 的價格上漲同步帶來創紀錄的高呼期選量，這是散戶追逐趨勢的典型徵兆，通常先於機構投資者主導的賣出浪潮先行。

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