南韓半導體工程師於社群平台X發文,痛批馬斯克與其旗下企業對三星電子(Terafab)進行多方剝削,隨後馬斯克卻反過來在X平台上以病毒式發文暗諷三星「敲竹槓」的漫天喊價,引爆這場隔空交火。
事件起因於馬斯克本週稍早在X平台上公開讚揚美光科技(Micron),稱其「在未來記憶體價格方面表現合理,而其他廠商則漫天要價」,外界普遍解讀此言論是對三星的暗諷。
與此同時,馬斯克也暗示Tesla可能邀請台積電(TSMC)加入Terafab計畫,但明確排除了台積電持有該晶圓廠股份或負責營運的可能性。台積電在本週的法說會上證實,確實正與SpaceX就這項野心勃勃的晶片製造計畫進行洽商,並以一句耐人尋味的話作結:「我們無意將商機讓與他人。」
一位在南韓半導體產業任X職、化名@TTHUEONE的工程師隨即以激烈言詞反擊馬斯克的暗示,指控馬斯克及其企業運用了從暗中操作到剝削性的一系列手段。
根據該工程師的說法,Tesla在AI5與AI6晶片的委託代工案上,提出了「極為苛刻的合約條件,特別是要求共享晶圓廠內部資訊,甚至包括審計權限,同時大幅壓低價格」。雪上加霜的是,馬斯克的半導體計畫Terafab顯然也從三星位於德州泰勒(Taylor)的自家晶圓廠「挖走了一大批在地人才」。事實上,Terafab目前正積極進行人才招募作業。
為不熟悉此議題的讀者說明,Terafab是Tesla與SpaceX共同推動的半導體聚落合資計畫,並獲得英特爾(Intel)的重量級技術支援,目標為最終達成每年生產1,000吉瓦(gigawatt)或1太瓦(terawatt)的AI算力。
該計畫目前仍處於初期階段,已編列168億美元的投資金額,將在德州格萊姆斯郡(Grimes County)打造一座半導體聚落,未來預計將擴展至總占地面積達1億平方英尺的規模。
Terafab的核心目標在於解決過去數十年來半導體製造過程碎片化的問題,透過將所有製程整合於單一場域中,包括光罩製作、微影曝光、先進小晶片(chiplet)封裝與測試等環節,藉此將晶片設計週期從目前的6至9個月大幅縮短至僅需數週。
此外,根據本網站先前報導,Tesla的AI5晶片採用半光罩(half-reticle)實體尺寸,配置一顆位於中央負責所有運算作業的大型主晶片,周圍環繞配置12個DRAM模組。該晶片將由台積電與三星的泰勒廠以2奈米製程生產,提供2,000至2,500 TOPS的運算效能。單晶片版本的效能大致與NVIDIA H100 GPU相當,而雙晶片配置則可與Blackwell系列正面競爭。雖然該晶片最初預期搭載144GB的LPDDR5記憶體,但馬斯克近期已將其記憶體容量削減至96GB,此前他曾透露將縮減至72GB。試產作業已在三星位於德州的泰勒廠進行中,預計將於2027年進入量產階段。
馬斯克先前曾表示,AI5晶片的效能將達到NVIDIA同類晶片的約3倍,但成本僅為其十分之一。
此外,AI6與AI6.5晶片預計也將繼續由台積電與三星負責代工生產,並將搭載大量的SRAM記憶體。馬斯克於4月時指出:「兩款晶片都有約一半的TRIP AI運算加速器專門用於SRAM,因此對於SRAM快取中的任何運算來說,有效記憶體頻寬比DRAM頻寬高出一個數量級。」不過,這些晶片的DRAM容量現已被削減三分之一,降至144GB。